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DJ表示独立基础,p表示坡形,DJp连起来就是坡形独立基础,300mm是h1,100mm是h2(如图):
当建筑物上部结构采用框架结构或单层排架结构承重时,基础常采用方形、圆柱形和多边形等形式的独立式基础,这类基础称为独立式基础,也称单独基础。独立基础分三种:阶形基础、坡形基础、杯形基础。
独立基础的特点一:一般只坐落在一个十字轴线交点上,有时也跟其它条形基础相连,但是截面尺寸和配筋不尽相同。独立基础如果坐落在几个轴线交点上承载几个独立柱,叫做联合独立基础。
独立基础的特点二:基础之内的纵横两方向配筋都是受力钢筋,且长方向的一般布置在下面。
长宽比在3倍以内且底面积在20m2以内的为独立基础(独立桩承台)。
JDG15(FC WC) 表示为套接紧定式镀锌钢导管 管径是15 沿墙,地板暗敷设
RVS2*0.5 表示为电话线 rv是铜心电缆
2*0.5是铜线规格数量,指截面积
SR300*100 表示为钢制槽式电缆桥架,宽为300,深为100
常用肖特基二极管型号:常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号肖特基二极管常见的型号:MBR300100CTMBR400100CTMBR500100CTMBR600100CTMBR30050CTMBR40050CTMBR50050CTMBR60050CT肖特基二极管是问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。拓展资料肖特基二极管(SBD)是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称,是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件,它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
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