国产5nm光刻技术取得重大成功（中科院正式宣布,已研发出5nm光刻技术）

我国已研发出5nm光刻技术，该技术能否真正投入生产使用？

就是最近我们国家的中科院在5纳米激光光刻的技术上面有了成功的突破，不过这个消息出来以后，有的媒体对这件事情解读就太过于荒诞了，在这里有必要要说清楚一些情况。

技术层面的突破是一件好事，可是纸面上的技术要运用到实践上面，还是需要一个很长的流程，而且没有更多的产业链支持也无法完成。就好比你造一个冰箱一样，你有造冰箱的技术，可是冰箱的整体框架总需要人加工吧，还有其他一些细小的零部件，总需要人提供吧。这些都是需要一条产业链的支持，不是有技术就可以的，产业链里其他的生产技术达不到。那也无法去完成。

而且这样的技术，虽然已经在理论上面有所突破，可是还得需要在实践过程中累积经验才能够生产，因为芯片生产涉及到了波长稳定性，还有精准性等等因素影响的。因此工艺上的经验累积也十分重要。不然生产出来的芯片良品率会不稳定。

另外还有一点就是媒体错误理解了一个概念，那就是中科院突破的5nm狭缝电极并不是芯片制造的都所有技术，这是一天很漫长的道路，而且激光光刻机用于工业上面也不合适，只适合用来做实验。打个比方把芯片当成一个图片还看待的话，那么euv的光刻机是可以一次拍照成型，可是激光光刻机复杂程度就高了许多，还需要一条条按照线路来刻。因此在效率上来说根本不适合在工业生产之上使用。

因此中科院这一次技术突破不会对半导体产业有太大的影响，不过蚊子再小也是肉，也能作为一个技术储备，将来能够用作研发经验来便于新的技术开发。因此投入生产使用现在来说是不可能的。

国产5nm光刻技术突破，荷兰光刻机地位将动摇？eimkt

目前我国实验室最先进的光刻机为22nm，而asml的光刻机已经达到5nm量产的水平。

因此，目前我国光刻机水平无法动摇其地位。

若日后我国光刻技术突破，而asml仍旧无法找到更先进制程的 *** ，那么将会威胁其发展。但一般而言这很难说，技术会一直进步下去

国产半导体设备“破冰”，事关5nm工艺，河南研究院立功了

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在当今世界 科技 全球化的发展中，经济的发展越来越智能化、数字化。各行各业的部门运营都离不开电子设备，而芯片作为电子设备的运转核心，是相当重要的组成部分。

可以说芯片对于机器的重要性，相当于大脑对于人类的重要性一样，确定人类失去生命体征的信息不是心跳停止，而是脑死亡，机器也是一样，没有芯片，机器也就失去“活性”。

但由于电子产业在近两年来的快速发展，芯片的供应已经跟不上市场需求的剧增，全球迎来了“缺芯”局面。对此很多芯片工厂纷纷加大产程。

大家知道芯片的制造对于高端光刻机的依赖是很大的。尤其是7nm制程以下的芯片，如果没有EUV光刻机是几乎无法实现量产，而EUV的制造工艺则为ASML公司所垄断。

但由于“芯片规则”的修改，ASML的光刻机有一部分用到了美方的技术，由于技术限制ASML无法对我们自由出货。在2019年我国就向ASML公司耗资十亿人民币订购了一台EUV光刻机，但由于各种原因，这台光刻机到现在都未能在我国落地。

在目前全球缺芯的大背景下，我们的芯片供应自然也是紧缺的，在这档口芯片供应又被“卡了脖子”，我们的处境更是艰难。

虽然ASML表示除了EUV光刻机外其他的光刻设备都能对我们自由出货，但这远远不够。

越是精密的设备对于芯片的精密度要求就越高。如手机需要的芯片至少是7nm制程以下，不仅要求体积小，还要求高性能，运行稳定，有优秀的信息连接和反馈效率。

从我们的手机市场来看，我们对于7nm制程以下芯片的需求量是巨大的，半导体设备国产化已经迫在眉睫。

这有多重要从华为的遭遇就能看得出来，自从5G芯片被断供之后，作为主营业务的手机销售一落千丈，不仅已经推出的手机开始缺货，新的5G手机也迟迟无法发布。

但说实话，EUV光刻机的制造不是凭借努力钻研或者大量投资就能实现的。我们从来不怕困难不怕吃苦，我们国家的经济实力也有目共睹，如果能用钱解决的事那都不叫事。

难点在于EUV光刻机关键的零部件就多达十多万，其中还包含一些电子特气。给ASML提供光刻设备零部件的企业就多达5000多家，遍布世界40多个国家。

如此强大的供应链整合能力目前除了ASML还没有谁能做到。这也是为什么ASML的高层会说，即使把光刻机的设计图纸放出来也没人能造出来。虽然听起来太过自信，但也不是全无道理。

芯片的制造过程包含了刻蚀、光刻、离子注入和清洗等多种工艺，这些过程都需要相应的设备来完成，并不只是需要光刻机。

我国在这些方面都一直在努力。目前我们28nm制程芯片的生产工艺已经很成熟了，完全可以满足国内需求，主要就是7nm以下的高端芯片问题还未解决。

根据媒体4月7日消息，郑州轨道交通信息技术研究院成功研发出了全自动12寸晶圆激光开槽设备。除了具备常规的激光开槽功能之外，还能够支持120微米以下超薄wafe的全切工艺，以及支持5nm DBG工艺。

这套设备采用的是模块化设计，能够支持纳秒、皮秒、飞秒等不同脉宽的激光器。完全自主研发的光学系统，光斑宽度及长度都能够自由调节，超高精度运动控制平台技术与其完美结合，极大减少了设备对材质、晶向、厚度以及电阻率的限制难题。

全兼容的工艺使产品的破损率得到了有效的控制，良品率得到了很大的提升。

轨交院的研发团队对这项技术难题的攻克，表示了我们在5nm芯片工艺上取得了重大突破，晶圆加工工艺达到了新高度。证明了我国在晶圆激光切割领域的强大研发实力。

完全的自主研发系统更是实现了高度自主化，无惧技术限制。

未来的芯片精度只会越来越高，现在国内很多芯片厂商为了摆脱技术限制开始研发新的芯片封装工艺。这项切割技术的研发也将助力国内的“小芯片”封装工艺，帮助这些芯片厂家提升工艺水平。

这对于我国先进制程的芯片发展具有里程碑式的意义。

对于我们的国产化芯片设备制造技术大家有什么想法呢？欢迎在评论区互相交流。

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